Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSOP-6
0.099
(2.510)
0.039
(1.001)
0.020
(0.508)
0.019
(0.493)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
26
Document Number: 72610
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料
SI3529DV-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3812DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3853DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
SI3867DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
SI3905DV-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP
SI3909DV-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
SI3911DV-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL 20V 6TSOP
SI3981DV-T1-GE3 MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP
相关代理商/技术参数
SI3499DV 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI3499DV_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET
SI3499DV-T1 功能描述:MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3499DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3499DV-T1-E3C 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
SI3499DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3499DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -8V 7A TSOP
SI-35003-F 制造商:Bel Fuse 功能描述:- Trays